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Vishay Siliconix SI4634DY-T1-E3
| Artikelnummer: | SI4634DY-T1-E3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Vishay Siliconix SI4634DY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4634DY-T1-E3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 15A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24.5A (Tc) Grundproduktnummer SI4634 SI4634DY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] SI4634DY-T1-E3 PDF - EN.pdf -
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